Benjamin Geskin, un filtrador de información que obtuvo un gran reconocimiento por sus aportes previos al lanzamiento del iPhone X, asegura que los Galaxy S9 y Galaxy S9+ que llegarán durante el primer trimestre del próximo año darán el salto a los 6 GB de memoria RAM.
Esto supone un incremento de 2 GB frente a la generación actual, ya que como sabemos Samsung ha montado 4 GB en los Galaxy S8 y S8+, e iguala la capacidad total de los Galaxy Note 8, que suman 6 GB de memoria RAM.
La misma fuente también indica que los Galaxy S9 y Galaxy S9+ mantendrán el conector jack de 3,5 mm para auriculares y la ranura para tarjeta de memoria microSD, de manera que permitirá ampliar la capacidad de almacenamiento de ambos terminales, que ascenderá a 128 GB en su configuración básica, y utilizar accesorios basados en el clásico conector analógico.
Por lo demás no esperamos sorpresas, ya que ambos terminales contarán con un SoC Snapdragon 845 o Exynos serie 9 (según región). Ambos chips estarán fabricados en proceso de 10 nm y deberían montar una CPU de ocho núcleos.
Imaginamos que la resistencia al agua seguirá estando presente y que Samsung mantendrá el formato de “pantalla infinita” que hemos visto en la generación actual.
A nivel de diseño todo apunta a que los Galaxy S9 y Galaxy S9+ van a ser bastante continuístas y es comprensible, ya que normalmente Samsung suele llevar a cabo cambios de diseño cada dos generaciones y el último se ha dado con los Galaxy S8 y S8+.
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